EN 
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ
Kõrge puhtusastmega paagutatud sic-ahju torud
Semixlabi, Hiina juhtiva kõrge puhtusastmega paagutatud SiC ahjutorude tootja ja tarnijana, on oma paagutatud SiC ahjutorud loodud täiustatud pooljuhtprotsesside jaoks, sealhulgas epitaksiaalseks kasvatamiseks, termiliseks oksüdeerimiseks ja difusioondopinguks. Semixlabi torud on saadaval kohandatud mõõtmete ja puhtusastmetega ning läbivad range kontrolli ja termilised tsükkelkatsed, pakkudes usaldusväärset jõudlust suuremahuliste pooljuhtide tootmiseks.
Kirjeldus
Kõrge puhtusastmega paagutatud ränikarbiidist (SiC) ahjutorud on täiustatud pooljuhtide tootmises kriitilise tähtsusega komponendid. Need torud, mis on tuntud oma erakordse termilise stabiilsuse, keemilise inertsuse ja madala lisandite sisalduse poolest, pakuvad saastevaba keskkonda kõrgel temperatuuril toimuvate protsesside, näiteks epitaksiaalse kasvu, termilise oksüdeerimise ja difusioondopingu jaoks. Osakeste tekkimise ja metalliioonide saastumise minimeerimise abil tagavad paagutatud ränikarbiidist ahjutorud vahvlite terviklikkuse, seadme jõudluse ja kõrge tootmissaagise.
tehnilised nõuded
| Paagutatud ränikarbiidi füüsikalised omadused | |
| vara | tüüpiline väärtus |
| keemiline koostis | SiC>95%, Si<5% |
| Puistetiheduse | >3.07 g/cm³ |
| Näiline poorsus Näiline poorsus | |
| Rebenemismoodul temperatuuril 20 ℃ | 270 MPa |
| Rebenemismoodul temperatuuril 1200 ℃ | 290 MPa |
| Kõvadus temperatuuril 20 ℃ | 2400 XNUMX Kg/mm² |
| Murdetugevus 20% | 3.3 MPa · m1/2 |
| Soojusjuhtivus temperatuuril 1200 ℃ | 45 W/m² · K |
| Soojuspaisumine temperatuuril 20-1200 ℃ | 4.51 × 10-6/℃ |
| Max.töötemperatuur | 1400 ℃ |
| Soojuslöögikindlus temperatuuril 1200 ℃ | hea |
Rakendused
Rakendused pooljuhtprotsessides
1. Epitaksiaalne kasv
Roll: Paagutatud SiC ahjutorud pakuvad stabiilset kuuma tsooni keskkonda räni epitaksia ja valitud SiC epitaksia protsesside jaoks.
Epitaksias esinevad väljakutsed:
● Temperatuuri ebaühtlus, mis põhjustab ebaühtlase kihi paksuse.
●Osakeste saastumine, mis suurendab epitaksiaalsete kilede defektide tihedust.
● Klooritud või halogeenitud protsessigaaside põhjustatud korrosioon.
Lahendused Semixlabi SiC-torudega:
● Kõrge soojusjuhtivus tagab ühtlase soojusjaotuse.
● Tihe paagutatud struktuur minimeerib osakeste eraldumist.
●Suurepärane korrosioonikindlus pikendab kasutusiga agressiivsete kemikaalide korral.
2. Termilise oksüdeerimise protsess
Roll: Oksüdatsiooniahjudes toimivad paagutatud SiC-torud reaktsioonikambrina, kus ränivahvlid puutuvad kokku hapniku või auruga, moodustades ühtlased SiO2 kihid.
Oksüdeerimise väljakutsed:
● Kvartstorud võivad pikkade tsüklite jooksul deformeeruda või neisse sattuda metallilisi lisandeid.
● Ebaühtlased termilised gradiendid mõjutavad oksiidi paksuse ühtlust.
● Kõrge temperatuur ja niiskus võivad materjali lagunemist kiirendada.
Lahendused Semixlabi SiC-torudega:
● Suurepärane termiline löögikindlus hoiab ära torude pragunemise korduva kuumutamise ja jahutamise ajal.
● Kõrge puhtusastmega SiC koostis minimeerib saastumist ja säilitab oksiidi kvaliteedi.
● Pikk kasutusiga vähendab seisakuid ja asenduskulusid.
3. Difusioondoping
Roll: Paagutatud SiC-torud toimivad difusioonahju kambritena legeerivate lisandite (B, P, As) sisseviimiseks räniplaatidesse.
Difusiooni väljakutsed:
● Lisandite (POCls, BBr3, PHs) ja toruseinte vastastikmõju, mis põhjustab saastumist.
● Osakeste kogunemine, mis põhjustab ühenduskohtade lekkeid ja voolavuspiiri kadu.
● Konstruktsiooni deformatsioon pikaajalisel kõrgel temperatuuril kasutamisel.
Lahendused Semixlabi SiC-torudega:
● Keemiliselt inertne pind peab vastu reaktsioonile legeerivate gaasidega.
● Tihe mikrostruktuur vähendab osakeste teket.
● Stabiilne jõudlus 800–1,200 °C töötlemistsüklite ajal tagab ühtlase legeeriva aine profiili.
konkurentsieelise
Semixlabis pakume terviklahendust, mis põhineb kolmel põhisambal:
●Kohandamine ja täppisprojekteerimine: Me mõistame, et iga protsess on ainulaadne. Meie insenerimeeskond teeb teiega otse koostööd, et kavandada ja toota kohandatud SiC-ahjutorusid, mis vastavad täpselt teie protsessi nõuetele ja seadmete spetsifikatsioonidele. Saame optimeerida mõõtmeid, seina paksust ja pinnaviimistlust, et maksimeerida jõudlust ja pikendada torude eluiga.
● Eksperttasemel tehniline konsultatsioon: Meie kogenud pooljuhtmaterjalide teadlaste meeskond on valmis pakkuma põhjalikku tehnilist tuge. Olenemata sellest, kas otsite saagikuse probleemi või arendate uut kõrgtemperatuurilist protsessi, saame pakkuda ekspertnõuandeid meie SiC-komponentide integreerimiseks optimaalsete tulemuste saavutamiseks.
● Range saatmiseelne kvaliteedi tagamine: Kontrollime iga toru mõõtmete täpsust, pinnaviimistlust ja puhtust täiustatud metroloogia ja elementanalüüsi tehnikate abil. See range kvaliteedikontrolli protsess tagab, et iga teile saadetud Semixlabi toode on kohe karbist võttes valmis suuremahuliseks tootmiseks.
Täiustage oma pooljuhtide protsesse Semixlabi kõrge puhtusastmega paagutatud SiC ahjutorudega, mis on konstrueeritud pakkuma erakordset termilist stabiilsust, keemilist inertsust ja saastevaba jõudlust epitaksia-, oksüdatsiooni- ja difusioonirakendustes. Olenemata sellest, kas vajate kohandatud mõõtmeid, kõrge puhtusastmega spetsifikatsioone või ekspertide protsessikonsultatsiooni, tagab Semixlab teie vahvlite optimaalse saagise ja seadme töökindluse. Võtke ühendust meie tehnilise meeskonnaga, et rahuldada oma pooljuhtide tootmisvajadused.
meie teenused
Semixlabi tootepood
