kõik kategooriad
EN
Intellektuaalomand ja patendid

Intellektuaalomand ja patendid

Avaleht> Meist > Lae > Intellektuaalomand ja patendid

Juurdepääs meie ulatuslikule tehnilisele raamatukogule. Alates täpsetest tehnilistest spetsifikatsioonidest kuni rahvusvaheliste kvaliteedisertifikaatideni – pakume läbipaistvust, mida on vaja missioonikriitiliste pooljuhtide tarneahelate jaoks.

Sisu: Meie peamiste leiutiste patentide kogu (8+), mis tõestavad meie algupärast meisterlikkust CVD-gradientkattekihtide ja tahke ränikarbiidi (SSI) tehnoloogia alal. Need dokumendid kinnitavad meie tehnilist sõltumatust ja vastavust intellektuaalomandi kaitsele.

Tehniline kategooria Patendi nimetus (leiutis) Patendi nr Peamine leiutaja Strateegiline väärtus
TaC kate TaC/Ta2C gradientkattega grafiitkomponent ja selle valmistusmeetod ZL202411703774.0 Prof Shaolong He Suurendab kõrge temperatuuriga reaktorite termilist löögikindlust ja adhesiooni.
TaC seadmed Seade paagutatud TaC-katte valmistamiseks grafiidist aluspinnale ZL202110992463.0 LW Zhou Automatiseeritud süsteem kõrge puhtusastmega tantaalkarbiidkatmiseks.
SiC-komposiit CVD-meetod SiC-komposiitkatte valmistamiseks mono-/polükristallilisele ränile ZL202410071607.2 Prof Shaolong He Kriitiline tipptasemel epitaksiaalsete sustseptorite ja vahvlikandjate jaoks.
Uued materjalid Ränikarbiidi/grafiidi komposiitmaterjal ja selle valmistamismeetod ZL202410990154.3 Prof Shaolong He Järgmise põlvkonna ülitugevad ja ülipuhtad pooljuhtmaterjalid.
Madala temperatuuriga CVD Meetod SiC-katte madalal temperatuuril valmistamiseks metallpindadele ZL202311149201.3 Prof Shaolong He Laiendab SiC-kaitset kuumustundlikele metallkomponentidele.
Madala temperatuuriga CVD Seade SiC-katte madalal temperatuuril ettevalmistamiseks metallpindadele ZL202110992466.4 LN Ding Spetsiaalne riistvara täppis-madalatemperatuurseks katmiseks.
C/C komposiidid Süsinik-süsinik (C/C) komposiitide SiC-katte valmistamise meetod ZL202410002048.X Prof Shaolong He Parandab pikaealiste termovälja komponentide oksüdatsioonikindlust.
Täiustatud teadus- ja arendustegevus Seade ränikarbiidist käsna valmistamiseks keemilise aurustamise teel ZL202210703163.0 Prof Shaolong He Patenteeritud seadmed poorsete pooljuhtstruktuuride arendamiseks.

Kuumad kategooriad