EN 
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ
Poorne grafiit
| Lähtekoht: | Hiina | |
| Tootja nimi: | Semixlab | |
| Mudel: | PG-001 | |
| Certification: | ISO9001 | |
| Miinimum Kogus: | Olenevalt individuaalsest suurusest (tugi väikeste partiide testtellimuste uurimisele ja arendusele) | |
| Hind: | Hinnapakkumine vastavalt kohandatud nõudlusele (suure koguse allahindlus) | |
| Pakend andmed: | Õhukindel oksüdatsioonivastane pakend, põrutuskindel puidust kast (vastavalt rahvusvahelistele transpordistandarditele) | |
| Tarneaeg: | 20-45 päeva (olenevalt kohandamise keerukusest) | |
| Maksetingimused: | T/T (50% ette, 50% tasutud enne kohaletoimetamist) | |
| Pakkumise võime: | Igakuine tootmisvõimsus 3000 tükki, toetage kiirtellimuste tootmist | |
Kirjeldus
Poorset grafiiti kasutatakse peamiselt PVT (füüsikalise auruülekande) ränikarbiidi (SiC) monokristallide kasvuprotsessis, see on kõrge temperatuuriga termilise välja süsteemi põhimaterjal. Toode on valmistatud ülikõrge puhtusastmega isostaatiliselt pressitud grafiidist, mis moodustab täppis-CNC-töötluse ja pooride kontrollimise tehnoloogia abil ühtlase ja kontrollitava poorse struktuuri, tagades suurepärase jõudluse äärmuslikes protsessitingimustes (2200 ℃). Selle ainulaadne disain parandab märkimisväärselt soojusvälja ühtlust ja optimeerib gaasifaasi ülekande efektiivsust, mis on kvaliteetse SiC kristallide kasvu peamine tagatis.
Põhifunktsioonid ja protsessi eelised:
Äärmiselt puhtus ja madal defektide määr
Mittemetalliliste lisandite, näiteks hapniku ja lämmastiku sisalduse edasiseks vähendamiseks kasutatakse vaakum-kõrgtemperatuurset puhastusprotsessi (3000 ℃ töötlemine). Likvideerige lisanditest põhjustatud kristallide defektid (nagu mikrotuubulid, dislokatsioonid), et tagada SiC monokristallide elektriline jõudlus.
Ülikõrge temperatuuri stabiilsus ja termilise välja juhtimine
Argooni / vaakumkeskkonnas talub see 2200 ℃ pidevat tööd rohkem kui 1000 tundi, madalat soojuspaisumistegurit ja väldib termilise pinge põhjustatud materjali pragunemist.
Poorsus toetab gradiendi jaotuse disaini koos CFD simulatsiooniga, et optimeerida pooride suurust (10-200 μm), reguleerida täpselt soojusvälja jaotust, vähendada temperatuuri gradiendi kõikumisi (±3 ℃ piires) ja parandada kristallide kasvu ühtlust.
Kohandatud lahendused
Geomeetriline kohandamine: toetab keerulist kuju töötlemist (nt rõngastiigel, mitmekihiline kilp), sobitades kliendi ahju struktuuri.
Pinnatöötlus: korrosioonikindluse ja tööea pikendamiseks osutage ülitäpse poleerimise või katmise teenuseid.
Rakenduse jõudluse kontrollimine
PVT SiC kristallimisprotsessis tiigli ja soojusvälja komponendina:
Suurendage kristallide kasvukiirust 15–20% (võrreldes traditsioonilise grafiidiga);
Vahvli saagis tõusis üle 90% (4-tolline SiC monokristall);
Seadmete hooldusperiood pikeneb 6 kuuni (tavaliselt 3 kuud).
Kiire täpsus:
1. Muud nimetused: PVT grafiittiigel, ränikarbiidi kasv poorse grafiidiga.
2. Kasutusala: PVT meetod (füüsiline gaasitranspordi meetod) SiC monokristalli kasvu südamiku soojusvälja komponent.
3. Põhiparameetrid: puhtus ≥99.9995%, poorsus 15-30%, temperatuuritaluvus 2200℃ (inertgaasi keskkond), soojusjuhtivus 100-150 W/m·K.
tehnilised nõuded
| Poorse grafiidi tüüpilised füüsikalised omadused | |
| ltem | Parameeter |
| Puistetiheduse | 0.89 g / cm2 |
| Survetugevus | 8.27 MPa |
| Painutus tugevus | 8.27 MPa |
| tõmbetugevus | 1.72 MPa |
| Spetsiifiline takistus | 130Ω -inx10-5 |
| Poorsus | 50% |
| Keskmine pooride suurus | 70um |
| Soojusjuhtivus | 12W/M*K |
Rakendused
PVT kasvuahju koost: SiC materjali sublimatsiooni ja kristallide kasvatamise osana tagab stabiilse soojusvälja jaotuse.
Soojusvälja varjestuskomponent: poorne struktuur vähendab tõhusalt termilist pinget ja pikendab seadme kasutusiga.
Seemnekristallide kronstein: kõrge mehaaniline tugevus seemnekristalli toetamiseks, et tagada kristalli suunatud kasv.
Gaasi difusioonikiht: optimeerige gaasifaasi ülekande efektiivsust, parandage monokristallide kvaliteeti ja kasvukiirust.
konkurentsieelise
Ülikõrge temperatuuri jõudlus: 2200 ℃ juures pole pehmendavat deformatsiooni, mis toetab rohkem kui 1000 tundi pidevat stabiilset tööd.
Kohandatud soojusvälja disain: kombineerituna CFD simulatsiooniga, et optimeerida pooride gradienti, parandada kristallide ühtlust ja saagist.
Kiire iteratsiooniteenus: tehke protsessiparameetrite sobitamise test ja tarnige prototüüplahendus 72 tunni jooksul.
