EN 
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ
Kõrge puhtusastmega SiC vahvlipaat
Semixlabi, Hiina juhtiva kõrge puhtusastmega SiC vahvlipaatide tootja ja tarnijana, kasutatakse oma ränikarbiidist vahvlipaati laialdaselt olulistes protsessiühendustes, nagu LPCVD, oksüdeerimine ja lõõmutamine, tänu oma suurepärasele termilisele stabiilsusele, korrosioonikindlusele ja mehaanilisele tugevusele. Kui otsite SiC vahvlipaati, mis minimeerib osakeste saastumist, pikendab kasutusiga ja tagab vahvli ohutuse, on see toode teie ideaalne valik.
Kirjeldus
Pooljuhtide tootmise valdkonnas esitavad kõrgel temperatuuril toimuvad protsessid kiibikandjatele äärmuslikke väljakutseid. Kui temperatuur ületab 1600 ℃, hakkab traditsiooniline kvartskandja (kiibil kasutatav kvartspaat) pehmenema, deformeeruma ja eraldama saasteaineid, mis põhjustab kiibijäätmete hulga hüppelist suurenemist.
Kõrge puhtusastmega SiC vahvelpaat, millel on ränikarbiidi (SiC) loomupärased materjalieelised, lahendab selle tööstusharu valupunkti täielikult ja muutub oluliseks tööriistaks täiustatud pooljuhtide tootmises, eriti SiC toiteseadmete tootmises.
tehnilised nõuded
Toote peamised füüsikalised omadused ja tehnilised parameetrid:
| Tulemuslikkuse näitajad | Kõrge puhtusastmega SiC vahvlipaat | Traditsiooniline kvartskandja | Täiustatud eelised |
| Maksimaalne töötemperatuur | 1800 °C (pidev) / 2000 °C (tipp) | 1200 ° C | Temperatuurikindlus paranes 50% |
| Soojusjuhtivus | 4.9 W/cm·K (toatemperatuuril) | 1.5 W/cm·K | Soojuse hajumise efektiivsus suurenes 226% |
| Soojuspaisumise koefitsient | 4–5 × 10⁻⁶/K | 0.55 × 10⁻⁶/K | Termiline stabiilsus paranes 7 korda |
| Kõvadus | Mohsi skaala 9.2 (teine ainult teemandi järel) | Mohsi 7 | Kulumiskindlus paranes 30 korda |
| Vahvli kokkupuutepunkti pinge | <5 MPa (libisemisvastane disain) | > 20 MPa | Vahvli libisemiskiirus on vähenenud 80% |
| Osakeste eraldumine | 0 osakest/cm² (puhtusklass 100) | >50 osakest/cm² | Reostus nullilähedane |
Ränikarbiidist vahvlikandja (SiC vahvlikandja) suurepärane jõudlus tuleneb selle ainulaadsetest materjaliteaduslikest omadustest. Allpool on esitatud peamiste füüsikaliste parameetrite üksikasjalik võrdlus:
Need parameetrid tähendavad otseselt pooljuhtide tootmise paremat saagikust ja väiksemaid kulusid, nagu on näidatud järgnevalt:
Soojusliku jõudluse eelis: SiC lai keelutsoon (3.26 eV) tagab stabiilse kristallstruktuuri säilimise temperatuuril 2000 °C ja väldib termilist deformatsiooni. Kõrge soojusjuhtivus (4.9 W/cm·K) võimaldab vahvlit ühtlasemalt kuumutada ja kõrvaldab termilisest pingest tingitud võredefektid.
Mehaaniline tugevus: 9.2 Mohsi kõvadus peab vastu protsessi käigus tekkivatele füüsilistele löökidele ja kasutusiga on enam kui kümme korda suurem kui traditsioonilistel kvartskanduritel. Ainulaadne poolringikujuline pilukujundus hoiab vahvli kontaktpinget alla 10 MPa, kõrvaldades põhimõtteliselt kõrgel temperatuuril libisemise nähtuse.
Keemiline inerts: taluvus väga söövitavate gaaside, näiteks HF ja HCl suhtes ületab 10,000 XNUMX tundi ning LPCVD, difusiooni, oksüdeerimise ja muude protsesside käigus säilib nullreostus.
Rakendused
Kõrge puhtusastmega SiC vahvlipaadi võtmeroll
Meie ülipuhast SiC vahvlipaati kasutatakse laialdaselt järgmistes olulistes pooljuhtide tootmisprotsessides:
Kõrgtemperatuuriline lõõmutamine: SiC-kiipide tootjate tootmisliinil on kõrgel temperatuuril kuumutamine oluline samm lisandite aktiveerimiseks ja võredefektide parandamiseks. SiC-kiipide kõrge temperatuuri stabiilsus tagab kuumutamisprotsessi ühtluse ja efektiivsuse.
Epitaksiaalne kasv: Olenemata sellest, kas tegemist on ränipõhise epitaksia või ränikarbiidist vahvli epitaksiaga, muudab SiC vahvlipaadi kõrge temperatuurikindlus ja korrosioonikindlus selle ideaalseks kandjaks kvaliteetse epitaksiaalse kihi kasvu tagamiseks.
Difusioon: Kõrgtemperatuurilises difusiooniahjus talub LPCVD vahvlipaadis olev SiC vahvelpaat pikaajalist kõrgel temperatuuril töötlemist, et tagada dopinguaatomite ühtlane difusioon ja moodustada täpsed elektrilised omadused.
Õhukese kile sadestumine: Eriti Lpcvd vahvlipaatide rakenduste puhul aitavad SiC vahvlipaatide äärmiselt madal osakeste eraldumine ja suurepärane soojusjuhtivus saada kvaliteetseid ja ühtlaseid kilesid.
Ühilduvad seadmed ja protsesside ühilduvus:
✔ Ühildub tavaliste LPCVD ahjudega (näiteks TEL, Kokusai, ASM, SVG, Tystar jne)
✔ Kohandatavad vahvli spetsifikatsioonid, näiteks 100mm/150mm/200mm
✔ Toetab horisontaalset ja vertikaalset protsessiseadmete paigaldamist
Semixlabi SiC-kiipp-paat on ideaalne valik teie protsesside efektiivsuse ja tootesaagise parandamiseks ning on juhtiv ettevõte täiustatud pooljuhtide kiipp-paatide lahenduste valdkonnas.
meie teenused
Semixlabi tootepood
Semixlabi tootepoed
